湿度と温度は鉱山用軽ケーブルの絶縁抵抗に影響する2つのコア環境要素であり、それらは絶縁材料の物理状態、化学特性及び導電媒体分布を変えることによって、直接抵抗値に規則性の変動をもたらし、さらに安全上の危険性を引き起こす。その影響は単一作用ではなく、相互に重なり合い、鉱井の高湿、温度差の大きい特殊な環境の中で特に顕著に現れた。
絶縁抵抗に対する湿度の影響は主に「水分介入」によって実現され、具体的には3つのレベルに分けることができる：
表面導電チャネルの形成：周囲湿度が70%を超えると、絶縁層（例えばポリ塩化ビニル、クロロプレンゴム）の表面に連続水膜が吸着される。この水膜は空気中の粉塵、塩分などの不純物を溶解し、導電性溶液を形成し、絶縁層表面に「漏洩回路」を並列に接続したことに相当する。このとき絶縁抵抗を測定すると、表面リーク電流の増大により数値が低くなる場合がある（乾燥状態より30〜50%低い場合がある）。例えば、新しいケーブルは乾燥環境下で1000 MΩ以上の絶縁抵抗があり、高湿環境下で表面が清潔でないと、100 MΩ以下に急降下する可能性がある。
水分浸透による内部劣化：坑内ケーブルにシース摩耗、継手密封不良などの欠陥があると、水分が絶縁層内部に徐々に浸透する。多孔性絶縁材料（天然ゴムなど）では、水分がその内部ガスギャップを充填し、体積抵抗率が大幅に低下する――乾燥時の体積抵抗率は10°Ω・cmに達し、湿気を受けると10°Ω・cm以下（100万倍超の降下幅）に低下する可能性がある。さらに深刻なのは、水分が絶縁材料中の添加剤（例えば可塑剤、安定剤）と反応し、材料の老化を加速させ、不可逆的な絶縁損傷を形成することである。
低温高湿下の「凍結融解サイクル」破壊：鉱井に低温区域（例えば地表に近い路地）が存在すると、絶縁層に浸透した水分は凍結、融解を繰り返す。凍結時の体積膨張は絶縁層の微細構造を引き裂き、より多くの孔を形成する;融解後に水分がさらに浸透し、悪循環が形成され、最終的に絶縁抵抗が低下し続け、局所破壊も発生した。
絶縁抵抗に対する温度の影響は顕著な「負の相関性」を示し、すなわち温度が上昇し、抵抗値が低下し、具体的なメカニズムは以下の通りである：
分子熱運動の激化による導電性の増強：絶縁材料の絶縁性能は分子構造の電子に対する束縛能力に依存する。温度が上昇すると（例えば40℃を超えると）、分子の熱運動が激しくなり、絶縁層内部の自由電子は束縛から抜け出して方向移動を形成しやすくなり、抵抗率の低下を招く。例えば、0.3/0.5 kV鉱山用ケーブルは20℃で絶縁抵抗が500 MΩであり、60℃で100 MΩ以下（80%まで降下）になる可能性がある。この変化はゴム系絶縁材料の中でより顕著であり、高温耐性がプラスチック系材料より弱いためである。
高温加速材料の老化と化学分解：長期にわたり30℃以上の環境にある場合、絶縁材料（特にゴム）は酸化反応により老化が加速し、硬化、ひび割れなどの現象が現れる。同時に、高温は絶縁層中の低分子物質（例えば可塑剤）の揮発を促し、材料構造の緩み、孔の増加を招き、絶縁抵抗をさらに低下させる。ケーブルが設備の放熱口や高温岩壁に近づくと、局所的な温度が70℃を超える可能性があり、この場合、絶縁抵抗は数ヶ月以内に安全閾値（0.5 MΩ）以下に下がる可能性がある。
低温における「脆性増強」間接影響：低温は絶縁抵抗をやや上昇させるが（分子運動が遅くなり、電子拘束力が強くなる）、絶縁材料が脆くなる。ケーブルが頻繁に移動したり曲がったりすると、脆性が強化された絶縁層に亀裂が発生しやすく、逆に水分の浸透に条件を作り、間接的に後続の湿度の影響下での抵抗の急激な低下を招く。
鉱井の実際の環境の中で、高湿と高温はしばしば同時に存在し、その連合作用による絶縁抵抗の破壊は単一の要素よりはるかに大きい：
高温は絶縁材料の耐水性を低下させ、水分を内部に浸透させやすくする、
高湿環境下では、水分は高温でより気化しやすく、絶縁層の微孔を通じて拡散し、湿潤範囲を拡大する、
例えば、40℃、湿度90%の環境では、ケーブル絶縁抵抗の低下速度は20℃、湿度60%の環境で3〜5倍であり、局所破壊が発生しやすい。
湿度の核心的影響は「導電性媒体の導入」（水膜、不純物の溶解）であり、材料構造を破壊し、温度の核心的影響は「導電性の増強」（分子運動）であり、材料の老化を加速させ、両者を重ね合わせると悪循環になる。そのため、鉱山用軽ケーブルの絶縁抵抗検出は、単一の数値だけを見るのではなく、環境温湿度記録と結合しなければならない。同じケーブルの乾燥低温環境下での「合格値」は、高湿高温環境中ですでに「危険値」に属している可能性がある。日常の防護においては、定期的な検査のほか、シールを強化し、熱源の接触を回避し、表面汚染物を適時に整理するなどの方法を通じて、温湿度による絶縁層への浸食経路を遮断する必要がある。
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